Samsung cho biết hãng đang bắt đầu sản xuất bộ nhớ DDR4 dựa trên công nghệ 20nm và những sản phẩm đầu tiên có dung lượng 32 GB dành cho máy chủ.
Cùng với nền tảng Haswell-E, thế hệ bộ nhớ mới DDR4 đã xuất hiện và nhấn mạnh ba điểm cải tiến quan trọng nhất là mật độ bóng bán dẫn (transistor) cao hơn, tốc độ truy xuất nhanh và sử dụng năng lượng hiệu quả hơn so với DDR3.
Mẫu DDR4 công nghệ 20nm trước hết của Samsung dành cho máy chủ.
Bộ nhớ DDR4 có mức tiêu thụ điện năng giảm chỉ còn 1,2V và băng thông lớn hơn nhờ phát triển của tuyến truyền (bus) dữ liệu hoàn toàn mới. Theo đặc tả kỹ thuật tổ chức JEDEC ban bố, DDR4 có tốc độ truyền tải dữ liệu đạt 3,2 Gigatransfer/giây trong khi DDR3 là 1,6 Gigatransfer/giây, điện thế đầu vào là 1,2V – giảm khoảng 20% so với mức 1,5V của DDR3 và xung nhịp từ 2.133 – 3.200MHz.
Tuy nhiên trong thời đoạn đầu, không phải toàn bộ chip nhớ DDR4 đều đạt được cả ba điểm trên và dòng chip mới của Samsung đã giải quyết được vấn đề này.
Trong thông tin mới, Samsung cho biết đã bắt đầu sản xuất bộ nhớ DDR4 công nghệ 20nm dành cho máy chủ và những sản phẩm trước nhất dung lượng 32GB, chạy ở xung nhịp 2.400 MHz, nhanh hơn đáng kể so với mức 1.866MHz của bộ nhớ máy chủ DDR3.
Đại diện Samsung Electronics cho biết thêm, thiết kế các chip nhớ DDR4 DRAM dung lượng 8Gbit vận dụng công nghệ sản xuất 20 nm giúp gia tăng mật độ transistor trong mỗi chip, mang lại hiệu suất cao hơn và tiết giảm đáng kể phí tổn tiền điện hàng tháng.
Hơn nữa, chip 8Gbit mới cũng cho phép sản xuất các mẫu RAM DDR4 dung lượng 128GB nhờ công nghệ silicon 3D. Về phía người dùng cá nhân thì điều này không có nhiều ý nghĩa tuy nhiên trong môi trường doanh nghiệp lại rất quan trọng, đặc biệt là các data center (trọng điểm dữ liệu) với dung lượng bộ nhớ hàng terabyte và hoạt động liên tục 24/7.
Về phía DDR3 thì Samsung sẽ giới thiệu chip 4Gbit công nghệ 20nm dành cho máy tính cá nhân và chip LPDDR3 6Gbit cho thiết bị di động.
.jpg)
0 nhận xét:
Đăng nhận xét